教育新闻网与650V器件相比，不寻常的750V额定值为400V或500V电池和总线应用提供了更多的设计余量，与公司第三代产品相比，其改进意味着“ gen4 750V晶体管优于Gen3 630V晶体管”，UnitedSiC vp工程设计Anup Bhalla告诉《电子周刊》-参见下表。
例如，改进的单位晶胞具有减小的Rds(on)/面积，从而导致更小的管芯。然后，为了将热量从较小的模具中散出，已通过切换到高级烧结模具附接来改善热传递。罗恩随温度的升高略有下降(见表)。积分二极管的压降<1.75V。
| 技术产生 | 第四代 | 第三代 |
| 标称部分 | 6mΩ，750伏 | 7mΩ，650V |
| 最大值 | 750V | 650V |
| RT的典型Ron | 6毫欧 | 6.7毫欧 |
| 罗恩（175°C）/罗恩（25°C） | 2.08 | 1.6 |
| Qrr在400V，1400A / us | 462nC | 840nC |
| Etot在400V，55A，RT，HB | 560兆焦耳 | 840兆焦耳 |
| 室温下的短路时间 | 8毫秒 | 3毫秒 |
| 在RT时通过了10us的体二极管浪涌电流 | 1,570A | 773A |
| RthJC（°C / W）典型/最大 | 0.21 / 0.27 | 0.15 / 0.19 |
| 相对模具尺寸 | 0.65 | 1个 |
共有四个初始器件，有18mΩ和60mΩ的选项，以及三或四引脚TO247封装的选择。Bhalla表示：“全世界都不会放过这些软件包，尤其是三引脚版本。请注意，“您可以从其中吸收大量热量。我们至少试图使人们达到四线制，这几乎使转换损失减少了一半。”–四线版本的栅极驱动电路具有单独的源极连接。
